上海光机所等发现强流质子辐照芯片非线性效应

上海光机所联合中国科学院微电子研究所、上海科技大学，研究纳秒强流激光质子束辐照芯片的效应，发现该质子束可增强SRAM芯片位翻转效应。实验获得中心能量约8 MeV、脉宽2.3纳秒的质子束，130 nm和180 nm SOI工艺芯片的位翻转截面较传统加速器低通量测试增强2.2—3.8倍。Geant4与TCAD联合模拟揭示了连续质子电荷沉积的时间堆积增强机制，成果发表于Applied Physics Reviews。

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还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。